GaN：一項突破性技術

如果獨立市場研究結果應驗，則GaN產品的銷售額將會在2014年超過3億美元。只有通過主流半導體公司（恩智浦是領頭羊）生產GaN，才可能實現這一預測。那么，GaN和RF功率應用到底是什么？簡而言之，在大多數應用中，GaN相比Si LDMOS進一步提升效率和功率密度性能。這可在Johnson的優值(FoM)中得到量化——將以Si等于1為基線的顯著RF性能變量結合起來，導致GaN的FoM為324。通俗而言，另一種常用的RF復合材料GaA具有1.44的FoM。一言以蔽之，GaN真正代表了一項突破性技術。
偏置

GaN產品被稱為高電子遷移率晶體管(HEMT)，這一名稱抓住了GaN的一個本質優點：高電子漂移速度。這些晶體管為消耗模式器件，此類器件為常開，無需施加柵偏壓。需要負柵偏壓以關閉晶體管。此偏置不是直接提供的，但在恩智浦，我們提供解決方案而非僅僅是組件，因為已有久經考驗的偏置電路可供使用，并在整個產品使用壽命期間提供持續的應用支持。
高溫

GaN更大的優勢是，具有能耐受極高溫度的極其堅固的結構。恩智浦的GaN晶體管可指定250 °C的最高溫度，相比之下，Si LDMOS為225 °C。在如此高溫環境下，更需要能夠充分利用此特性的封裝技術。因此，客戶將是恩智浦在RF功率產品領域30年經驗的受益者，我們的工業基地能為客戶帶來極佳的產品可靠性、成本和高度自信的供應鏈，能做到這些的GaN供應商僅此一家。正如我們所說，GaN因此而成為主流。
第一代恩智浦GaN產品

 第一代恩智浦GaN產品將是獨一無二的寬帶放大器，適用于要求在最高為3.5 GHz的各種頻率下具有高RF性能的應用。恩智浦的第一代GaN工藝專為在50V供電電壓下工作的產品而設計，可實現一流的效率和線性度。這類產品將使用行業標準的封裝大小，使客戶能在現有設計中采用恩智浦的產品而無需更改機械設計。恩智浦的新一代GaN器件將會超級高效，為最大的RF功率器件細分市場——蜂窩基站——帶來性能上的突破。反過來，此技術會憑借開關模式功率放大器(SMPA)概念打破線性放大器拓撲結構。恩智浦致力于在整個產品范圍中充分利用技術，這也將使產品適用于最高為10 GHz的更高頻率應用。